吸收电容器
电容器结构:双层金属化薄膜,内部串联结构封装:阻燃塑料外壳,环氧树脂封装,符合(UL94V-0)标准。尺寸:适用于各种IGBT保护。
电容:0.0047至6.8μF额定电压:700至3000 Vdc损耗角正切:测试条件为1000±20 Hz,25±5°C。 Cr≤1.0μF,4×10-4; Cr&1.0μF,6×10 -4绝缘电阻:3000s,s =MΩ。
μF测试条件1分钟,100Vdc(25±5°C)耐压:2Ur(直流)测试条件10s,t 25±5°C,1Min工作温度:-40~ + 85°C总线电感和杂散电感缓冲电路内部及其元件对IGBT电路有很大的影响,尤其是大功率IGBT电路。因此,我希望它越小越好。
为了减少这些电感,我们需要从许多方面入手。首先,直流母线应尽可能短;第二,缓冲电路应尽可能靠近模块;第三,低电感聚丙烯非极性电容器,与IGBT匹配的快速缓冲二极管,以及无感泄放电阻器;四是其他有效措施。
目前,缓冲电路以多种方式制造:它通过分立元件连接;它由印刷板连接;缓冲电容模块直接安装在IGBT模块上。显然,最后一种方法在缓冲效果方面是最好的,因为它符合上述减少电感的第二和第三个措施,并且可以最大程度地保护IGBT的安全操作。
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