双面金属化薄膜内部结构，特殊内部设计和端面镀金技术使电容器具有低电感，多引线设计，可承受更高的纹波电流，高du / dv和高过压能力。
用于各种IGBT缓冲线浪涌吸收，各种高频谐振线路。
电容器结构：双层金属化薄膜，内部串联结构封装：阻燃塑料外壳，环氧树脂封装，符合（UL94V-0）标准。
尺寸：适用于各种IGBT保护。
电容：0.0047至6.8μF额定电压：700至3000 Vdc损耗角正切：测试条件为1000±20 Hz，25±5°C。
Cr≤1.0μF，4×10-4; Cr＆amp;1.0μF，6×10 -4绝缘电阻：3000s，s =MΩ。
μF测试条件1分钟，100Vdc（25±5°C）耐压：2Ur（直流）测试条件10s，t 25±5°C，1Min工作温度：-40~ + 85°C总线电感和杂散电感缓冲电路内部及其元件对IGBT电路有很大的影响，尤其是大功率IGBT电路。
因此，我希望它越小越好。
为了减少这些电感，我们需要从许多方面入手。
首先，直流母线应尽可能短;第二，缓冲电路应尽可能靠近模块;第三，低电感聚丙烯非极性电容器，与IGBT匹配的快速缓冲二极管，以及无感泄放电阻器;四是其他有效措施。
目前，缓冲电路以多种方式制造：它通过分立元件连接;它由印刷板连接;缓冲电容模块直接安装在IGBT模块上。
显然，最后一种方法在缓冲效果方面是最好的，因为它符合上述减少电感的第二和第三个措施，并且可以最大程度地保护IGBT的安全操作。
