●欠压锁定功能●自适应直通保护功能●自举电源电压至114V●1.4A峰值顶栅上拉电流●1.75A峰值栅极上拉电流●耐热增强型8引脚MSOP封装●宽VCC电压：4.5V至13.5V●1.5Ω顶栅驱动器下拉电阻●0.75Ω底栅驱动器下拉电阻●5ns顶栅下降时间驱动1nF负载●8ns顶栅上升时间驱动1nF负载●3ns底栅下降时间驱动1nF负载●6ns底部门上升时间驱动1nF负载●驱动高侧和低侧N沟道MOSFET MOSFET驱动器消耗三部分：1。
由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。
与MOSFET栅极电容充电和放电有关。
这部分功耗通常是最高的，特别是在非常低的开关频率下。
2. MOSFET驱动器吸收静态电流导致的功耗。
高水平和低水平的静态功耗。
3.由MOSFET驱动器交叉传导（通过）电流引起的功耗。
由于MOSFET驱动器的交叉传导引起的功耗，这也称为穿通。
这是由于在其导通和截止状态之间切换时，输出驱动级的P沟道和N沟道FET同时导通。
●分布式电源架构●汽车电源●高密度电源模块●电信系统
